DDR/LPDDR Electrical 测试服务面向处理器、存储器、SoC、模组及终端产品中的高速并行存储接口，覆盖 DDR、DDR2、DDR3、DDR4、DDR5 以及 LPDDR4、LPDDR5 等主流存储接口的电气性能验证与调试支撑。随着系统带宽、工作频率和功耗约束持续提升，存储接口的信号完整性、电源完整性及时序裕量成为芯片和整机稳定运行的关键因素。

检测实验室可基于高带宽实时示波器、差分探头、夹具及配套一致性测试软件，开展 DDR/LPDDR Electrical Test、Timing Test 和 Eye-Diagram Test。测试内容包括时钟、命令 / 地址、控制信号及数据通道的电压幅度、上升 / 下降时间、过冲 / 下冲、抖动、眼图、建立 / 保持时间、读写时序裕量等指标，并可结合客户板级设计和调试需求提供测试方案制定、问题定位、整改建议和复测验证服务。

服务适用于芯片 bring-up、板级验证、产品预一致性评估、量产前风险排查及研发调试阶段，可帮助客户识别走线、端接、供电噪声、负载匹配和时序配置等因素引起的接口风险，提升高速存储链路的稳定性和可靠性。